參數(shù)資料
型號(hào)： FQA7N90M
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 900V N-Channel MOSFET
中文描述： 7 A, 900 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 678K
代理商： FQA7N90M
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, January 2002
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
※
N otes :
1. Z
θ
2. D uty F actor, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t) = 0.59
℃
/W M ax.
JC
(t)
sing le p ulse
D = 0.5
0 .02
0 .2
0 .05
0 .1
0 .01
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u lse D u ra tio n [s e c ]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 3.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQA7N90 900V N-Channel MOSFET
FQA85N06 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQA8N100C 1000V N-Channel MOSFET
FQA8N80C 800V N-Channel MOSFET
FQA8N80 800V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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FQA85N06 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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