參數(shù)資料
型號： FQA26N30
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 25.5A I(D) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 25.5AI（四）|對247VAR
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大小： 742K
代理商： FQA26N30
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相關PDF資料
PDF描述
FQA26N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET)
FQAF26N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR
FQAF26N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET)
FQAF46N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 33.5A I(D) | TO-247VAR
FQAF48N20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQA27N25 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA28N15 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA28N15_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET
FQA28N15_F109 功能描述:MOSFET 150V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA28N50 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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