參數(shù)資料
型號(hào): FQA26N30
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 25.5A I(D) | TO-247VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五(巴西)直| 25.5AI(四)|對(duì)247VAR
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 742K
代理商: FQA26N30
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQA26N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQAF26N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR
FQAF26N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQAF46N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 33.5A I(D) | TO-247VAR
FQAF48N20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
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參數(shù)描述
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FQA28N15 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQA28N15_F109 功能描述:MOSFET 150V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA28N50 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube