- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375875 > FQA19N20L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FQA19N20L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| 中文描述： | 25 A, 200 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 742K |
| 代理商： | FQA19N20L |
μ
μ
%&'('(')&
'*'!'+,-
.'(/$"#$
! " #$
%
&
#
"
! "
#$"!"!"
()*$$"&+
',)*$$
#$
-.!
#$
/
#$
''##$
"
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA19N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQA19N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQA20N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQA22N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQA22P10 | 100V P-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQA19N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-CH QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA19N60 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA20N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA22N30 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA22P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。