參數(shù)資料
型號： FQA19N20L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOSFET)
中文描述： 25 A, 200 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 742K
代理商： FQA19N20L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQA19N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET)
FQA19N60 600V N-Channel MOSFET
FQA20N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
FQA22N30 300V N-Channel MOSFET
FQA22P10 100V P-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQA19N60 功能描述:MOSFET 600V N-CH QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA19N60 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P
FQA20N40 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA22N30 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA22P10 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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