參數(shù)資料
型號(hào)： FPN660A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
封裝： TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： FPN660A
Package Dimensions
F
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
TO-226
S0.51-0.36;
S0.76-
0.36;
S1.40-1.14;
S1.40-1.14;
S4.70-4.32;
S2.41-2.13;
S4.45-3.81;
5" TYP
S1.52-1.02;
2" TYP
2" TYP
S7.73-7.10;
S7.87-7.37;
S15.61-14.47;
S1.65-1.27;
0.51
S0.48-0.30;
TO-226AE (95,99)
1
99
95
3
C
B
2
B
C
1
E
E
P
3
2
For leadformed option ordering,
refer to Tape & Reel data information.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FPN660A_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FPN660A_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FPN660A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FPN7-6516 制造商:RIEDON 制造商全稱:Riedon Powertron 功能描述:FPN FHN Networks Precision Shunt Networks
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