參數(shù)資料
型號(hào)： FPN660
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
封裝： TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： FPN660
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
F
Typical Characteristics
Figure 1. Base-Emitter Saturation Voltage
vs Collector Current
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
β = 10
Figure 2. Base-Emitter On Voltag
vs Collector Current
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
vs Collector Current
Current Gain vs. Collector Current
1000
125
°
C
Figure 4. Input/Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
Figure 5. Current Gain vs Collector Current
Figure 6. Power Dissipation vs Ambient Temperature
Base-Emitter Saturation
β = 10
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
B
25°C
- 40°C
125°C
β = 10
Base-Emitter On Voltage vs.
Collector Current
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
V = 2.0V
0.01
0.1
1
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
β = 10
Input/Output Capacitance vs.
Reverse Bias Voltage
0.1
0.5
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
1
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
C
V = 2.0V
f = 1.0MHz
C
C
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
H
F
25
°
C
- 40
°
C
V = 2.0V
β = 10
β = 10
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
TO-226
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PDF描述
FPN660A PNP Low Saturation Transistor
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FPN660A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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