參數(shù)資料
型號(hào)： FPN630
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： FPN630
Typical Characteristics
Input/Output Capacitance vs
Reverse Bias Voltage
0.1
0.5
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
1
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
C
C
C
f = 1.0MHz
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
B
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 10
Base-Emitter On Voltage vs
Collector Current
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
V = 2.0V
PNP Low Saturation Transistor
(continued)
F
Current Gain vs Collector Current
600
V = 2.0V
00
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
100
200
300
400
500
H
F
25
°
C
125
°
C
- 40
°
C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
β = 10
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
TO-226
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PDF描述
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FPN660 PNP Low Saturation Transistor
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FPN630A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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