參數(shù)資料
型號(hào)： FPN560A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Low Saturation Transistor
中文描述： 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 47K
代理商： FPN560A
Typical Characteristics
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
B
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 10
Base-Emitter On Voltage vs.
Collector Current
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
V = 2.0V
Input/Output Capacitance vs.
Reverse Bias Voltage
0.1
0.2
0.5
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
C
f = 1.0 MHz
C
C
obo
Current Gain vs. Collector Current
500
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
2
5
0
100
200
300
400
H
F
25
°
C
125
°
C
- 40
°
C
V = 2.0V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
β = 10
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
TO-226
F
NPN Low Saturation Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FPN630 PNP Low Saturation Transistor
FPN630A PNP Low Saturation Transistor
FPN660 PNP Low Saturation Transistor
FPN660A PNP Low Saturation Transistor
FPNH10 NPN RF Transistor(NPN射頻晶體管)
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參數(shù)描述
FPN560A_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FPN560A_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FPN560A_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FPN560A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FPN-607PG 制造商:FUJIKURA 制造商全稱:FUJIKURA 功能描述:Sensing element/Gauge
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