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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FP209 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Driver Applications |
| 中文描述： | 瑞展硅晶體管驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | FP209 |
FP209
No.4536-2/3
Switching Time Test Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP211 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Driver Applications |
| FP213 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Driver Applications |
| FP214 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Driver Applications |
| FP215 | High-Frequency Amp, Differential Amp Applications |
| FP216 | LCD Backlight Drive Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP2-09 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| FP2093 | 制造商:BACO Controls Inc 功能描述: |
| FP209-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTORNPNNPN25V2APCP5 |
| FP20R06KL4 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A EASY MOUNT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP20R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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