參數(shù)資料
型號： FMMTA63
廠商： Atmel Corp.
英文描述： SOT23 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： SOT23封裝進步黨硅平面達林頓晶體管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： FMMTA63
SOT23 PNP SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 2 MARCH 1995
%
PARTMARKING DETAIL
FMMTA63 - Z2U
FMMTA64 - Z2V
COMPLEMENTARY TYPES FMMTA63 - FMMTA13
FMMTA64 - FMMTA14
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-30
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-10
V
Peak Pulse Current
I
CM
-800
mA
Continuous Collector Current
I
C
-500
mA
Peak Base Current
I
BM
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
FMMTA63
FMMTA64
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-30
-30
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-30
-30
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-10
-10
V
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-0.1
μ
A
V
CB
=-30V, I
E
=0
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
-0.1
-0.1
μ
A
V
CE
=-10V
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
5K
10K
10K
20K
I
C
=-10mA, V
CE
=5V*
I
C
=-100mA, V
CE
=5V*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-1.5
-1.5
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-2.0
-2.0
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Transition
Frequency
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FZTA63 datasheet.
f
T
125
125
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f=20MHz
FMMTA63
FMMTA64
3 - 178
C
B
E
SOT23
相關PDF資料
PDF描述
FMMTA64 SOT23 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
FMMTA64 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
FMMTH10 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR
FMMTL618 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMTL619 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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