參數(shù)資料
型號(hào)： FMMTA64
廠商： Atmel Corp.
英文描述： SOT23 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： SOT23封裝進(jìn)步黨硅平面達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： FMMTA64
SOT23 PNP SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 2 MARCH 1995
%
PARTMARKING DETAIL
FMMTA63 - Z2U
FMMTA64 - Z2V
COMPLEMENTARY TYPES FMMTA63 - FMMTA13
FMMTA64 - FMMTA14
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-30
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-10
V
Peak Pulse Current
I
CM
-800
mA
Continuous Collector Current
I
C
-500
mA
Peak Base Current
I
BM
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
FMMTA63
FMMTA64
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-30
-30
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-30
-30
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-10
-10
V
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-0.1
μ
A
V
CB
=-30V, I
E
=0
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
-0.1
-0.1
μ
A
V
CE
=-10V
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
5K
10K
10K
20K
I
C
=-10mA, V
CE
=5V*
I
C
=-100mA, V
CE
=5V*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-1.5
-1.5
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-2.0
-2.0
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Transition
Frequency
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FZTA63 datasheet.
f
T
125
125
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f=20MHz
FMMTA63
FMMTA64
3 - 178
C
B
E
SOT23
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PDF描述
FMMTA64 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
FMMTH10 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR
FMMTL618 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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