參數(shù)資料
型號： FMMT2484
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
中文描述： 采用SOT23 NPN硅平面小信號晶體管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 28K
代理商： FMMT2484
SOT23 NPN SILICON PLANAR
SMALL SIGNAL TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
%
FEATURES
*
60 Volt V
CEO
PARTMARKING DETAIL 4G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
60
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6
V
Peak Pulse Current
I
CM
200
mA
Continuous Collector Current
I
C
50
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
I
CBO
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
V
(BR)CBO
60
V
(BR)CEO
60
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
V
(BR)EBO
6
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
10
10
10
0.35
nA
μ
A
nA
V
V
CB
=45V, I
E
=0
V
CB
=45V, I
E
=0, T
amb
=150°C
VBE=5V
I
C
=1mA, I
B
=100
μ
A*
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
Static Forward
Current Transfer
Ratio
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE
h
FE
0.95
V
I
C
=1mA, V
CE
=5V*
I
C
=1
μ
A, V
CE
=5V*
I
C
=10
μ
A, V
CE
=5V*
I
C
=10
μ
A, V
CE
=5V, T
amb
=55°C
I
C
=100
μ
A, V
CE
=5V*
I
C
=500
μ
A, V
CE
=5V*
I
C
=1mA, V
CE
=5V*
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
V
CB
=5V, I
E
=0, f=140KHz
V
BE
=0.5V, I
E
=0, f=140KHz
I
=200
μ
A, V
=5V, R
g
=2k
f=1kHz, f=200Hz
I
=200
μ
A, V
=5V, R
=2k
f=30Hz to 15kHz at -3dB points
30
100
20
175
200
250
500
800
Output Capacitance
Input Capacitance
Noise Figure
C
obo
C
ibo
N
6
6
3
pF
pF
dB
3
dB
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT2484
C
B
E
SOT23
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