參數資料
型號： FMM6G50US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 24PM-AA, 24 PIN
文件頁數： 4/9頁
文件大?。?/td> 987K
代理商： FMM6G50US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM6G50US60 Rev. A
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.005
0.01
0.1
1
5
IGBT :
DIODE :
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
0.1
1
10
E
[V]
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
C
a
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
C
V
om
m
on Em
itter
G
E
= 0 V, f = 1 M
C
H
z
T
C
= 25
o
0
1
2
3
4
5
6
0
40
80
120
160
200
15V
16V
18V
20V
14V
12V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E(sat)
[V]
C
o
u
C
]
0
1
2
3
4
5
6
0
40
80
120
160
200
15V
16V
18V
20V
14V
12V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 125
o
C
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E(sat)
[V]
C
o
u
C
]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
50 A
100 A
25 A
C
ase Tem
perature, T
C
[
o
C
]
C
o
i
C
E
Common Emitter
V
GE
= 15 V
1
10
0
20
40
60
80
100
120
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
C
o
u
C
]
Common Emitter
V
GE
= 15 V
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 5. Transient Thermal Impedance
Fig 6. Capacitance Characteristics
Fig 4. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
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PDF描述
FMM7G30US60N Compact & Complex Module
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