參數(shù)資料
型號： FMM6G50US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 24PM-AA, 24 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 987K
代理商： FMM6G50US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM6G50US60 Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
@ Inverter & Brake
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
@ Converter
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
NTC Thermistor Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
1.9
2.0
75
130
5
7
225
455
Max.
2.8
--
150
--
6.5
--
422
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 50A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 50A
di / dt = 100 A/us
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
Typ.
1.2
1.2
--
5
Max.
1.6
--
8
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 50A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
I
RRM
Repetitive Reverse Current
V
R
= V
RRM
mA
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JC
Parameter
Typ.
--
--
--
210
Max.
0.9
1.3
1.3
--
Units
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
g
Inverter
Junction-to-Case (IGBT Part, per 1/6 Module)
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
Weight of Module
Converter
Weight
Symbol
R
25
R
100
B
(25/100)
Parameter
Tol.
+/- 5 %
+/- 5 %
+/- 3 %
Typ.
5
0.415
3692
Units
K
K
Thermistor
Rated Resistance @ Tc = 25
°
C
Rated Resistance @ Tc = 100
°
C
B - Value
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMM7G30US60N Compact & Complex Module
FMMD2838 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMD6100 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMT2222-1BZ SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
FMMT2222A-1P SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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