參數(shù)資料
型號(hào)： FMG2A
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Emitter common (dual digital transistors)
中文描述： 發(fā)射極常見（雙數(shù)字晶體管）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： FMG2A
EMG2 / UMG2N / FMG2A
Transistors
Emitter common
(dual digital transistors)
EMG2 / UMG2N / FMG2A
z
Features
1) Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT
package.
2) Mounting cost and area can be cut in half.
z
Structure
Dual NPN digital transistor
(each with a single built in resistors)
The following characteristics apply to both the DTr
1
and
DTr
2
.
z
Equivalent circuit
Rev.A
1/2
EMG2 / UMG2N
FMG2A
R
1
R
1
DTr
1
DTr
2
(3)
(4)
(5)
(2)
(1)
R
1
=47k
R
2
=47k
R
2
R
2
R
1
R
1
DTr
1
DTr
2
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
R
1
=47k
R
2
=47k
R
2
R
2
z
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
CC
50
V
40
V
V
IN
10
I
O
30
mA
I
C (Max.)
100
Tj
150
C
Tstg
55 to
+
150
C
Pd
EMG2, UMG2N
150 (TOTAL)
mW
FMG2A
300 (TOTAL)
1
2
Supply voltage
Input voltage
Output current
Junction temperature
Storage temperature
1 120mW per element must not be exceeded.
2 200mW per element must not be exceeded.
Power
dissipation
z
External dimensions
(Unit : mm)
ROHM : EMT5
EMG2
ROHM : UMT5
EIAJ : SC-88A
UMG2N
Each lead has same dimensions
Each lead has same dimensions
Each lead has same dimensions
0
1
0
0.3to0.6
0
1.6
2.8
2
0
1
(
(
(
0
(
0
(
Abbreviated symbol : G2
Abbreviated symbol : G2
Abbreviated symbol : G2
ROHM : SMT5
EIAJ : SC-74A
FMG2A
0
0
0
0.1Min.
0
2.1
1
0
0
2
(
(
(
0
1.25
(
(
0
1.2
1.6
(1)
(2)
(3)
(5)
(4)
0
0
0
0
1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG3A Emitter common (dual digital transistors)
FMG4A General purpose (dual digital transistors)
FMG5A Emitter common (dual digital transistors)
FMG6A General purpose (dual digital transistors)
FMG6A 14 POS DUAL ROW SOCKET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMG2AT148 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 30MA SMT5 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FMG2G100US60 功能描述:IGBT 模塊 600V/100A/2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G100US60_Q 功能描述:IGBT 晶體管 600V/100A/2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG2G150US120 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG2G150US60 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*