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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLM1414-6F |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | X, Ku-Band Internally Matched FET |
| 中文描述： | 十，Ku波段內(nèi)部匹配場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | FLM1414-6F |
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
14.0
Pin=32dBm
30dBm
28dBm
26dBm
14.1
14.2
14.3
14.4
14.5
Frequency (GHz)
34
36
38
O
VDS = 10V
P1dB
VDS=10V
f = 14.25 GHz
40
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
24
26
28
30
32
34
Input Power (dBm)
30
32
34
36
38
30
15
O
η
add
Pout
η
a
2
FLM1414-6F
X, Ku-Band Internally Matched FET
POWER DERATING CURVE
50
0
100
150
200
Case Temperature (
°
C)
40
30
20
10
T
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS=10V
f1 = 14.5 GHz
f2 = 14.51 GHz
2-tone test
18
16
22
20
26
24
28
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
O
-20
-30
-40
-50
30
28
26
32
34
24
I
IM3
Pout
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLM1415-3F | Internally Matched Power GaAs FET |
| FLM3135-8F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM4450-45F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM4450-4F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM4450-8F | C-Band Internally Matched FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLM1414-8C | 制造商:FUJITSU 功能描述:MESFET Transistor, N-CHAN, SOT-469AVAR |
| FLM1414-8F | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:High Power GaAs FETs, Ku-Band, 6dB, 14.0 14.5GHz, 2200mA, Bulk |
| FLM1415-3F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:Internally Matched Power GaAs FET |
| FLM1415-6F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:Internally Matched Power GaAs FET |
| FLM15 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget |
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