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參數(shù)資料
| 型號： | FLM1011-3F |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | X, Ku-Band Internally Matched FET |
| 中文描述： | 十，Ku波段內(nèi)部匹配場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | FLM1011-3F |
2
FLM1011-3F
X, Ku-Band Internally Matched FET
POWER DERATING CURVE
50
0
100
150
200
Case Temperature (
°
C)
24
30
18
12
6
T
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
16
14
12
18
20
22
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
23
25
27
29
31
21
-55
-45
-25
-15
-35
O
IM3
I
VDS=10V
f1 = 11.7 GHz
f2 = 11.71 GHz
2-tone test
19
Pout
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
Pin=28dBm
26dBm
24dBm
22dBm
10.7
10.95
11.2
11.45
11.7
Frequency (GHz)
30
31
32
33
34
35
36
37
O
VDS=10V
P1dB
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS=10V
f = 11.2 GHz
19
21
23
25
27
29
Input Power (dBm)
28
30
32
34
36
26
20
10
30
40
O
η
add
Pout
η
a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLM1011-4F | X, Ku-Band Internally Matched FET |
| FLM1314-12F | X, Ku-Band Internally Matched FET |
| FLM1414-3F | Internally Matched Power GaAs FET |
| FLM1414-6F | X, Ku-Band Internally Matched FET |
| FLM1415-3F | Internally Matched Power GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLM1011-4F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:X, Ku-Band Internally Matched FET |
| FLM1011-6F | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:High Power GaAs FETs, X-Band, 7.5dB, 10.7 11.7GHz, 1650mA, Bulk |
| FLM1011-8F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:X, Ku-Band Internally Matched FET |
| FLM11/2 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget |
| FLM11/4 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget |
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