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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLL21E004ME |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | High Voltage - High Power GaAs FET |
| 中文描述： | 高電壓-高功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大小： | 247K |
| 代理商： | FLL21E004ME |
FLL21E004ME
High Voltage - High Power GaAs FET
2
Output Power & Drain Efficiency vs. Input Power
@V
DS
=28V I
DS
=50mA f=2.17GHz
Two-Carrier IMD(ACLR) & Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=50mA fo=2.3125GHz f1=2.1475GHz
W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation
Single-Carrier ACLR & Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=50mA fo=2.1325GHz
W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation
20
21
23
25
27
29
31
33
35
37
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26
Input Power [dBm]
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
D
Pout
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
16
18
20
22
24
26
28
30
32
Output Power [dBm]
IM5
I
0
5
10
15
20
25
30
35
D
IM3
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
16 18 20 22 24 26 28 30 32
Output Power[dBm]
A
0
5
10
15
20
25
30
35
D
+/-5MHz
+/-10MHz
Drain Efficiency
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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