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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FHI01A-YT |
| 元件分類： | 電源管理 |
| 英文描述： | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO6 |
| 封裝： | SOT-23, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | FHI01A-YT |
IC
One Cell Lithium-ion/Polymer Battery Protection IC
FHI01
5
Description of Operation 操作描述
VD1/ Overcharge protection 過(guò)充電保護(hù)
VD1 監(jiān)控 VDD 腳的電壓。當(dāng) VDD 電壓值從低電平平地上升到高於 Vdet1 的值時(shí)即超出過(guò)充電保護(hù)的閾值
Vdet1，VD1 能檢測(cè)到過(guò)充電態(tài)並且使晶片外部控制充電的 N 溝道 MOSFET 轉(zhuǎn)向“關(guān)”的態(tài)，此時(shí)，CO 處?kù)?/span>
“低電平＂態(tài)，低電平值接近 V-端的值以保證充電器的鋰電池之間斷開。
有種情況使 VD1 在檢測(cè)到過(guò)充後位，CO 引腳再次轉(zhuǎn)為“高電平＂，VD1 的重定可以使充電系統(tǒng)恢
充電過(guò)程。
第一種情況是當(dāng)充電器接入電池板，而 VDD 的電壓值下到低於過(guò)充電恢電壓 Vdet1 值時(shí)。第二種情況是
當(dāng)充電電與電池組斷開並接入負(fù)載後，可以使 VDD 值在 Vrel1 之前時(shí)將 VD1 位。
通過(guò)調(diào)節(jié)接 VSS 腳和 Ct 腳的外部電容 C2，可以設(shè)置過(guò)充電保護(hù)的輸出延遲時(shí)間。電容可以在檢測(cè)到過(guò)
充電並經(jīng)過(guò)一段延時(shí)後輸出信號(hào)使外接充電控制場(chǎng)效應(yīng)管的態(tài)變成“關(guān)斷＂。
當(dāng) VDD 的電壓值高於 Vdet1 值，如果 VDD 的電壓值在輸出延時(shí)的時(shí)間範(fàn)圍內(nèi)恢到低於 Vdet1 的值，那麼 VD1
將能輸出信號(hào)關(guān)斷充電控制場(chǎng)效應(yīng)管。充電輸出延時(shí)的時(shí)間和外接電容 Ct 有關(guān),具體前面的表格。
CO 腳的輸出由內(nèi)置於緩衝驅(qū)動(dòng)器的電平轉(zhuǎn)換器組成，輸出低電平時(shí)的電壓與 V-腳接近,輸出高電平時(shí)的電
壓與 VDD 腳接近。
VD2/Over-discharge Detector 過(guò)放電保護(hù)器
VD2 是用監(jiān)測(cè) VDD 腳的電壓。當(dāng) VDD 電壓值低於過(guò)放電保護(hù)的閾值 Vdet2 時(shí)， VD2 能感應(yīng)到過(guò)放電的同
時(shí)經(jīng)過(guò)一段延時(shí)使 DO 輸出“低電平＂關(guān)斷外部控制放電的 N 溝道 MOSFET。此時(shí) V-端上升為“高電平＂。
放電輸出延時(shí)的時(shí)間和外接電容 Ct 亦有關(guān)。
在檢測(cè)到過(guò)入電後為使 DO 腳的電平再次變?yōu)椤案唠娖剑ⅲ诔潆姇r(shí)，鋰電池的電壓升到大於或等於過(guò)
入電恢電壓值 Vrel2 時(shí)，DO 即為“高電平＂，過(guò)放電保護(hù)也會(huì)被釋放。
當(dāng)一顆電芯的電壓等於時(shí)，接充電器到電池板，系統(tǒng)就可以在充電電壓高於 Vst 的電壓值(1.2V)時(shí)進(jìn)
充電。
在 VD2 檢測(cè)到過(guò)放電到約 2.2V 後，進(jìn)入待機(jī)態(tài)。在 VDD=2.0V 時(shí)，待機(jī)態(tài)的電在 0.3A 左右，只有
充電檢測(cè)器 VD1 在工作。待機(jī)時(shí) DO 為低電平。
DO 腳的輸出型為 CMOS。高電平電壓值為 VDD，低電平電壓值為 VSS。
VD3/Excess Current Detector, Short circuit Protector 過(guò)電檢測(cè)器，短保護(hù)器
當(dāng)個(gè) MOSFET 的態(tài)都在“接通＂的放電態(tài)時(shí)，過(guò)電監(jiān)測(cè)器和短保護(hù)器的功能都會(huì)啟動(dòng)。
當(dāng) V-端發(fā)生大於過(guò)電閾值電壓 Vdet3 情況時(shí)，DO 經(jīng)過(guò)一段延時(shí)後輸出低電平，關(guān)閉外接的一個(gè) N 溝道
MOSFET。 V-端的電壓進(jìn)一步增加到短態(tài)時(shí)，DO 將迅速輸出低電平關(guān)閉 N 溝道 MOSFET 以保護(hù)鋰電
池免受短。
在放電時(shí)，V-端內(nèi)部有與 VSS 相的下電阻，典型值為 100KΩ。
在過(guò)電或短保護(hù)被檢測(cè)到後，排除引起過(guò)電或外部短的因素，V-腳的電平通過(guò)內(nèi)部下電阻(100K
Ω)到 VSS 值，外部用作過(guò)放電控制的 N 溝道 MOSFET 將自動(dòng)的迅速回到“開通＂的態(tài)。
如果 VDD 的電壓值比 Vdet2 的電壓值高，當(dāng)過(guò)電被檢測(cè)到後 FHI01 會(huì)進(jìn)入待機(jī)態(tài)，萬(wàn)一 VDD 的電壓值
比 Vdet2 的電壓值低，將會(huì)導(dǎo)致進(jìn)入待機(jī)態(tài)。
在 FHI01 完成短檢測(cè)後將會(huì)進(jìn)入待機(jī)態(tài)。休眠時(shí) CO 與 DO 均輸出低電平關(guān)閉外接的個(gè) MOSFET。
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PDF描述 |
|---|---|
| FHI01B-YT | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO6 |
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| FHJ.0B.302.CLLD52 | 功能描述:環(huán)形推拉式連接器 ELBOW PLUG RoHS:否 制造商:Hirose Connector 產(chǎn)品類型:Connectors 系列:HR10 觸點(diǎn)類型:Socket (Female) 外殼類型:Receptacle 觸點(diǎn)數(shù)量:4 外殼大小:7 安裝風(fēng)格:Panel 端接類型:Solder 電流額定值:2 A |
| FHJ.0B.302.CLLD52Z | 功能描述:環(huán)形推拉式連接器 ELBOW PLUG RoHS:否 制造商:Hirose Connector 產(chǎn)品類型:Connectors 系列:HR10 觸點(diǎn)類型:Socket (Female) 外殼類型:Receptacle 觸點(diǎn)數(shù)量:4 外殼大小:7 安裝風(fēng)格:Panel 端接類型:Solder 電流額定值:2 A |
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