參數(shù)資料
型號(hào): FF50R10KN
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1KV交五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 50A條一(c)|米:HL080HD5.3
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代理商: FF50R10KN
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF75R12KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6
FF75R12KF2 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6
FF75R12KL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6
FS15R06KF TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 15A I(C)
FS15R10KF2 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 15A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FF50R12KF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R12KF2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R12KL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R12RT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF50U60M1PWD 功能描述:MOSFET 600V/50a FRD/ IGBT CO PaK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube