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參數(shù)資料
| 型號： | FF75R12KF2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c）|米：HL093HD5.6 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | FF75R12KF2 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF75R12KL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6 |
| FS15R06KF | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 15A I(C) |
| FS15R10KF2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) |
| FS15R10KN | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) |
| FS25R06KF | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 25A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF75R12KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6 |
| FF75R12RT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF75R12YT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF8 | 制造商:GAMEWELL-FCI 制造商全稱:GAMEWELL-FCI 功能描述:NAC Expander/Power Supply |
| FF80 | 功能描述:風扇電線及配件 FILTER GRD 80MMX80MM RoHS:否 制造商:ebm-papst 類型:Finger Guard 適合風扇大小:120 mm 系列: |
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