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參數(shù)資料
| 型號： | FF100R12KF2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 100號A一（c）|米：HL093HW048 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 363K |
| 代理商： | FF100R12KF2 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF100R12KL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF120-0AG-005P | Miniature Based LED Lamps |
| FF120-0AG-018P | Miniature Based LED Lamps |
| FF120-0AG-024P | Miniature Based LED Lamps |
| FF120-0AG-028P | Miniature Based LED Lamps |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF100R12KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF100R12RT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module w/ IGBT & Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF100R12YT3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT INVERTER 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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