型號(hào): | FF100R12KF2 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 100號(hào)A一(c)|米:HL093HW048 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 363K |
代理商: | FF100R12KF2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FF100R12KL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
FF120-0AG-005P | Miniature Based LED Lamps |
FF120-0AG-018P | Miniature Based LED Lamps |
FF120-0AG-024P | Miniature Based LED Lamps |
FF120-0AG-028P | Miniature Based LED Lamps |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FF100R12KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
FF100R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF100R12MT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF100R12RT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module w/ IGBT & Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF100R12YT3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT INVERTER 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |