參數(shù)資料
型號(hào)： FDZ7064AS
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET BGA MOSFET
中文描述： 13.5 A, 30 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, 3.50 X 4 MM, 0.76 MM HEIGHT, BGA-30
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 599K
代理商： FDZ7064AS
4
www.fairchildsemi.com
FDZ7064AS Rev. A
F
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 13.5A
V
DS
= 10V
20V
15V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
100
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 119
°
C/W
T
A
= 25
°
C
10ms
1ms
0
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 119
°
C/W
T
A
= 25
°
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 119
°
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDZ7064N 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET
FDZ7064S TERMINAL
FDZ7296 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
FE3C GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER
FE5A Glass Passivated Fast Efficient Rectifier(鈍化玻璃快速效應(yīng)整流器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDZ7064N 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ7064N_Q 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ7064S 功能描述:MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ7296 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench BGA MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZX2-S4/4 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:ADAPTR KIT FOR FD800 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:ADAPTER KIT FOR FD800
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