參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6678A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 98K
代理商： FDS6678A
FDS6678A Rev C(W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
4.5V
3.5V
2.5V
V
GS
= 10V
3.0V
2.0V
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
0
5
10
15
20
25
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
= 3.0V
6.0V
4.5V
5.0V
10V
3.5V
4.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
D
= 6.8A
V
GS
= 4.5V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 3.8 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
25
30
35
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6679Z 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6679 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6680AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6680AS_NL 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6680 Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDS6679 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6679 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDS6679_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:30 Volt P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDS6679AZ 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6679AZ 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, 13A, SOIC
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*