參數(shù)資料
型號(hào)： FDP8880
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 11 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： FDP8880
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8880 / FDB8880 Rev. A
www.fairchildsemicom
F
6
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
0.9
1.0
1.1
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
1000
2000
0.1
10
30
100
C
V
DS
, DRAIN 1
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 54A
I
D
= 5A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
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PDF描述
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