參數(shù)資料
型號： FDP4020
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： P溝道增強模式指定為2.5V場效應晶體管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 213K
代理商： FDP4020
F
FDP4020P Rev. A
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
0.0001
200
400
600
800
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 4
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0.1
1
10
100
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 4
o
C/W
T
A
= 25
o
C
DC100ms
10ms
1ms
100
μ
s
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =
4°C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -16A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
相關PDF資料
PDF描述
FDP4020P P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB4020P P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP46N30 DC-DC Converter; Supply Voltage:75V; Output Voltage:5V; Number of Outputs:1; Mounting Type:PC Board; Series:BXA; Efficiency:80%; Leaded Process Compatible:Yes; Output Current:5A; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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FDP4020P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220
FDP4020P_00 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP4020P_Q 功能描述:MOSFET P-Ch 2.5V Specified Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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