參數(shù)資料
型號(hào)： FDP3672
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз
中文描述： 5.9 A, 105 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 237K
代理商： FDP3672
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3672 Rev. A3
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
100
3000
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 50V
I
D
= 41A
I
D
= 6A
WAVEFORMS IN
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