參數(shù)資料
型號(hào)： FDP3651U
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM
中文描述： 80 A, 100 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： FDP3651U
F
FDP3651U Rev. A
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
V
DD
= 50V
V
DD
= 55V
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= 45V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
Capacitance vs Drain to Source Voltage
Figure 9.
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
I
A
,
(
A
)
t
AV
, TIME IN AVALANCHE(ms)
Unclamped Inductive Switching
Capability
Figure 10.
25
50
TC, CASE TEMPERATURE
(
oC
)
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
I
V
GS
=8V
V
GS
=10V
PACKAGE MAY LIMIT
CURRENT IN THIS REGION
Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 11.
1
10
100
0.1
1
10
100
10us
500
100us
1ms
10ms
DC
I
D
,
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
SINGLE PULSE
T
J
=MAX RATED
T
c
=
25
o
C
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY R
DS(ON)
200
Forward Bias Safe Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
SINGLE PULSE
V
GS
= 10V
P
(
P
)
,
t, PULSE WIDTH (s)
T
C
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
175
-----150
–
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDP3652_Q 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP3672 功能描述:MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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