| 型號： |
FDMC2610 |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
3/7頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
| 產(chǎn)品變化通告： |
Mold Compound Change 17/March/2008
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| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
8-MLP, Power33, 56 Dual
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
UniFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
200V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
2.2A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
200 毫歐 @ 2.2A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
18nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
960pF @ 100V
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| 功率 - 最大： |
2.1W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
8-PowerVDFN
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
8-Power33（3x3）
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1609 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
FDMC2610DKR
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