型號(hào): |
FDMC2610 |
廠商: |
Fairchild Semiconductor |
文件頁(yè)數(shù): |
2/7頁(yè) |
文件大?。?/td>
| 0K |
描述: |
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
產(chǎn)品變化通告: |
Mold Compound Change 17/March/2008
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產(chǎn)品目錄繪圖: |
8-MLP, Power33, 56 Dual
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標(biāo)準(zhǔn)包裝: |
1 |
系列: |
UniFET™ |
FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
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FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門(mén)
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漏極至源極電壓(Vdss): |
200V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
2.2A
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開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
200 毫歐 @ 2.2A,10V
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Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): |
4V @ 250µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
18nC @ 10V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
960pF @ 100V
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功率 - 最大: |
2.1W
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安裝類(lèi)型: |
表面貼裝
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封裝/外殼: |
8-PowerVDFN
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-Power33(3x3)
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包裝: |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: |
1609 (CN2011-ZH PDF)
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其它名稱(chēng): |
FDMC2610DKR
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