參數(shù)資料
型號(hào)： FDJ128N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 5.5 A, 20 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： FLMP, SC-75, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 174K
代理商： FDJ128N
August 2004
FDJ128N
N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench
MOSFET
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDJ128N Rev B2 W)
General Description
This N-Channel -2.5V specified MOSFET uses
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.
It has been optimized for battery power management
applications.
Applications
Battery management
Features
5.5 A, 20 V.
R
DS(ON)
= 35 m
@ V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
= 51 m
@ V
GS
= 2.5 V
Low gate charge
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
Compact industry standard SC75-6 surface mount
package
S
S
S
S
S
G
Absolute Maximum Ratings
T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
STG
Parameter
Ratings
20
±
12
5.5
16
1.6
–
55 to +150
Units
V
V
A
W
°
C
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
Power Dissipation for Single Operation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
– Pulsed
(Note 1a)
Thermal Characteristics
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
.B
FDJ128N
(Note 1a)
77
°
C/W
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDJ129 P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
FDJ129P P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
FDLL300A High Conductance Low Leakage Diode
FDLL3595 High Conductance, Low Leakage Diode
FDLL4009 Ultra High Speed Diodes
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參數(shù)描述
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