參數(shù)資料
型號(hào): FDG6306P
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
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描述: MOSF P CH DUAL 20V 600MA SC70-6
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SC70-6 Pkg
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 600mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 420 毫歐 @ 600mA,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 114pF @ 10V
功率 - 最大: 300mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDG6306PDKR