型號(hào): |
FDG6306P |
廠商: |
Fairchild Semiconductor |
文件頁(yè)數(shù): |
2/5頁(yè) |
文件大?。?/td>
| 0K |
描述: |
MOSF P CH DUAL 20V 600MA SC70-6 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: |
High Voltage Switches for Power Processing
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產(chǎn)品變化通告: |
Mold Compound Change 12/Dec/2007
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產(chǎn)品目錄繪圖: |
MOSFET SC70-6 Pkg
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標(biāo)準(zhǔn)包裝: |
1 |
系列: |
PowerTrench® |
FET 型: |
2 個(gè) P 溝道(雙)
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FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
600mA
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開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
420 毫歐 @ 600mA,4.5V
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Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): |
1.5V @ 250µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
2nC @ 4.5V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
114pF @ 10V
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功率 - 最大: |
300mW
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安裝類型: |
表面貼裝
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封裝/外殼: |
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
SC-70-6
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包裝: |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: |
1608 (CN2011-ZH PDF)
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其它名稱: |
FDG6306PDKR
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