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參數資料
| 型號： | FDG328P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 1500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SC-70, 6 PIN |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | FDG328P |
FDG328P Rev C(W)
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -1.5A
V
DS
= -
-15V
-10V
0
100
200
300
400
500
600
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 260
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
0.0001
6
12
18
24
30
0.001
0.01
0.1
1
10
100
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 260
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 260 °C/W
T
J
- T
A
t
θ
JA
(t)
Duty Cyclt
1
/ t
2
P(pk)
1
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG329N | CAP CER 220PF 1KVDC U2J 1206 |
| FDG330P | CAP CER 47PF 1KVDC U2J 1206 |
| FDG332PZ | P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -2.6A, 97mヘ |
| FDG361N | CAP CER 68PF 1KVDC U2J 1206 |
| FDG6301N | Dual N-Channel, Digital FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDG328P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SC70-6 SINGLE PCH 20V :ROHS COMPLIANT |
| FDG329N | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG330P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG330P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDG330P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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