參數(shù)資料
型號： FDG328P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 1500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： FDG328P
FDG328P Rev C(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-3.5V
-2.5V
-2.0V
V
GS
= -4.5V
-3.0V
-1.8V
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
0
1
2
3
4
5
6
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.0V
-3.0V
-3.5V
-4.5V
-2.5V
Characteristics
Current
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -1.5A
V
GS
= -4.5V
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -0.8 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
5
6
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
Typical Characteristics
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG329N CAP CER 220PF 1KVDC U2J 1206
FDG330P CAP CER 47PF 1KVDC U2J 1206
FDG332PZ P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -2.6A, 97mヘ
FDG361N CAP CER 68PF 1KVDC U2J 1206
FDG6301N Dual N-Channel, Digital FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDG328P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SC70-6 SINGLE PCH 20V :ROHS COMPLIANT
FDG329N 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG330P 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG330P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
FDG330P_Q 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*