參數(shù)資料
型號(hào)： FDG312P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 1200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 206K
代理商： FDG312P
F
FDG312P Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-15V
I = -1.2A
-10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
10
30
100
300
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0
0.0001
6
12
18
24
30
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 260
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =260°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0.1
0.2
0.5
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
-
D
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 260°C/W
T = 25°C
JA
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
RDSON)LMT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG313N Digital FET, N-Channel
FDG314P Digital FET, P-Channel
FDG315 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDG315N CAP CER 100PF 630VDC U2J 1206
FDG316P CAP CER 1000PF 630VDC U2J 1206
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDG313N 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG313N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDG313N_D87Z 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG314P 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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