參數(shù)資料
型號： FDFS2P753Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 3 A, 30 V, 0.162 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SO-8
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 341K
代理商： FDFS2P753Z
F
M
FDFS2P753Z Rev.A
www.fairchildsemi.com
5
Figure 7.
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
V
DD
= -15V
V
DD
= -5V
-
G
,
-
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= -10V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
20
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
30
800
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
0.01
0.1
1
1
2
3
4
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
t
AV
, TIME IN AVALANCHE(ms)
-
I
A
,
Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 10.
Current vs Case Temperature
25
50
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE
(
75
100
125
o
C
)
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
R
θ
JA
= 78
o
C/W
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V
-
I
D
,
Maximum Continuous Drain
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
80
1s
10s
DC
100ms
10ms
1ms
100us
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(on)
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
T
A
= 25
O
C
-
D
,
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 12.
10
-4
10
-3
10
t, PULSE WIDTH (s)
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
V
GS
= -10V
SINGLE PULSE
P
(
P
)
,
0.6
200
T
A
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150
-----------------------
T
A
–
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDFS6N303 N-Channel MOSFET with Schottky Diode
FDFS6N548 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 7A, 23mohm
FDFS6N754 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 4A, 56mOHM
FDG311N N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDG312P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
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參數(shù)描述
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