參數(shù)資料
型號： FDFS2P106A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Integrated 60V P-Channel PowerTrench剖 MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 3 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： FDFS2P106A
FDFS2P106A Rev B(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -10V
-4.5V
-3.5V
-2.5V
-6.0V
-3.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
2
4
6
8
10
- I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -3.0V
-3.5V
-4.5V
-10V
-6.0V
-4.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -3A
V
GS
= -10V
0.04
0.09
0.14
0.19
0.24
0.29
2
4
6
8
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -1.5A
A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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