| 型號： | FDD3510H |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | MOSFET DPAK-4 Pkg |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 80V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 4.3A，2.8A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫歐 @ 4.3A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD |
| 供應商設備封裝： | TO-252-4L |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | FDD3510HDKR |