| 型號： |
FDD3510H |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
10/10頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET DPAK-4 Pkg
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
PowerTrench® |
| FET 型： |
N 和 P 溝道
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
80V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
4.3A，2.8A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
80 毫歐 @ 4.3A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
18nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
800pF @ 40V
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| 功率 - 最大： |
1.3W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-252-4L
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
FDD3510HDKR
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