參數(shù)資料
型號(hào)： FDB8874
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 21 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
文件大?。?/td> 267K
代理商： FDB8874
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8874 Rev. A2
F
PSPICE Thermal Model
REV 23 May 2004
FDB8874T
CTHERM1 TH 6 1.9e-3
CTHERM2 6 5 2.8e-3
CTHERM3 5 4 3.5e-3
CTHERM4 4 3 3.6e-3
CTHERM5 3 2 4.0e-3
CTHERM6 2 TL 1.6e-2
RTHERM1 TH 6 3.8e-2
RTHERM2 6 5 5.0e-2
RTHERM3 5 4 1.0e-1
RTHERM4 4 3 1.8e-1
RTHERM5 3 2 3.5e-1
RTHERM6 2 TL 3.7e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB8874T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =1.9e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =2.8e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =3.5e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =3.6e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =4.0e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =1.6e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =3.8e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =5.0e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =1.0e-1
rtherm.rtherm4 4 3 =1.8e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =3.5e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =3.7e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB8876 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 71A, 8.5mOhm
FDB8878 N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 48A, 14mOhm
FDB8880 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP8880 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB8896 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7 m ohm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDB8878 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB8880 功能描述:MOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB8896 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB8896_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
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