參數(shù)資料
型號(hào)： FDB8445
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 70A, 9mOhm
中文描述： 70 A, 40 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 334K
代理商： FDB8445
F
FDB8445 Re
v A
1
(W)
www.fairchildsemi.com
6
Figure 11.
-80
-40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE
(
o
C
)
0
40
80
120
160
200
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS
= V
DS
I
D
= 250
μ
A
N
T
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
I
D
= 250
μ
A
N
B
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE
(
o
C
)
Figure 13.
0.1
1
10
100
1000
10000
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
(
V
)
C
50
Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14.
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DD
= 25V
V
DD
= 15V
V
DD
= 20V
I
D
= 70A
V
G
,
(
V
)
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
Typical Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB8447L 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB8453LZ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDB8832 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 2.1mOHM
FDB8860 N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 80A, 2.6mOhm
FDB8870 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9mW
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參數(shù)描述
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FDB8445_F085 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB8447L 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB8453LZ 功能描述:MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB86102LZ 功能描述:MOSFET 100V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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