參數(shù)資料
型號(hào)： FDB8441
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 28 A, 40 V, 0.0025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 275K
代理商： FDB8441
F
FDB8441 Rev.A
www.fairchildsemi.com
3
Electrical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
Switching Characteristics
Drain-Source Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
t
(on)
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
t
off
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Turn-Off Time
V
DD
= 20V, I
D
= 35A
V
GS
= 10V, R
GS
= 1.5
-
-
-
-
-
-
-
77
-
-
-
-
147
ns
ns
ns
ns
ns
ns
23
24
75
17.9
-
V
SD
Source to Drain Diode Voltage
I
SD
= 35A
I
SD
= 15A
I
F
= 35A, di/dt = 100A/
μ
s
I
F
= 35A, di/dt = 100A/
μ
s
-
-
-
-
0.8
0.8
52
76
1.25
1.0
68
99
V
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Notes:
1:
Starting T
= 25
o
C, L = 0.46mH, I
AS
= 64A.
2:
Pulse width = 100s.
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For
a copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems
certification.
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