參數(shù)資料
型號(hào)： FDB66N15TM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 150V N-Channel MOSFET
中文描述： 66 A, 150 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： LEAD FREE, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大小： 477K
代理商： FDB66N15TM
FDP6644S/FDB6644S Rev
D
(W)
Typical Characteristics
0
30
60
90
120
0
1
2
3
4
5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
2.5V
3.0V
V
GS
= 10V
4.5V
6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
30
60
90
120
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
4.5V
6.0V
3.5V
10V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 28A
V
GS
=10V
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 14A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
15
30
45
60
75
90
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.01
0.1
1
10
0
0.4
0.6
0.8
V
SD
0.2
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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