參數(shù)資料
型號(hào)： FDB6690S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
中文描述： 42 A, 30 V, 0.0155 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 88K
代理商： FDB6690S
FDP6690S/FDB6690S Rev C (W)
Typical Characteristics
(continued)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 21A
V
DS
= 10V
20V
15V
0
400
800
1200
1600
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.6
T
A
= 25
o
C
C/W
10ms
100μs
10μs
1ms
0
400
800
1200
1600
2000
0.00001
0.0001
0.001
t
1
, TIME (sec)
0.01
0.1
1
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.6°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JC
(t) = r(t) * R
θ
JC
R
θ
JC
= 2.6 °C/W
T
J
- Tc = P * R
θ
JC
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk
t
1
t
2
SINGLE
PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP6690 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDP6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDB7030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET(N溝道邏輯電平PowerTrench MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FDB7030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB7042L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET(N溝道邏輯電平PowerTrench MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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