參數(shù)資料
型號(hào)： FDB6676S
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
中文描述： 76 A, 30 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： FDB6676S
FDP6676S/FDB6676S Rev C (W)
Typical Characteristics
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
2.5V
3.5V
V
GS
= 10V
4.5V
3.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.5V
4.5V
3.0V
3.5V
10V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 38A
V
GS
=10V
120
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 19A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
15
30
45
60
75
90
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP6676S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
FDB6676 30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP6676 30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDP6690 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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