型號: | FDB6035AL |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
中文描述: | 48 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封裝: | TO-263AB, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 93K |
代理商: | FDB6035AL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FDP6035AL | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
FDB6035L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDP6035L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDB603AL | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDB6035AL_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDB6035L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDB603AL | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDB603AL_Q | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDB604 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |