參數資料
型號： FDA50N50
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 48 A, 500 V, 0.105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PN, 3 PIN
文件頁數： 5/8頁
文件大小： 222K
代理商： FDA50N50
5
www.fairchildsemi.com
FDH50N50 / FDA50N50 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 13. Typical Switching Losses vs.
Gate Resistance
Figure 14. Unclamped Inductive Switching
Capability
Figure 15. Transient Thermal Resistance Curve
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
200
400
600
800
1,000
Notes :
1. V
DS
= 400 V
2. V
GS
= 12 V
3. I
D
= 25A
4. T
J
= 125
o
C
!
Eoff
Eon
E
μ
J
R
G
, Gate resistance [
]
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Starting T
J
= 150
o
C
Notes :
1. If R = 0
t
AV
= (L)(I
AS
)/(1.3 Rated BV
DSS
- V
DD
)
2. If R
≠
0
t
AV
= (L/R)In[(I
AS
x R)/(1.3 Rated BV
DSS
- V
DD
)+1]
Starting T
J
= 25
o
C
I
A
,
t
AV
, Time In Avalanche [ms]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 0.2
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
C/W Max.
single pulse
D=0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
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PDF描述
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